Número de Producto del Fabricante:
BTS282Z E3180A
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
BTS282Z E3180A-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
Descripción Detallada:
N-Channel 49 V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO220-7-180
Inventario:
12799437
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ENVIAR
BTS282Z E3180A Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
TEMPFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
49 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
6.5mOhm @ 36A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 240µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
232 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4800 pF @ 25 V
Función FET
Temperature Sensing Diode
Disipación de potencia (máx.)
300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220-7-180
Paquete / Caja
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
BTS282Z-E3180A
BTS282ZE3180AT-DG
BTS282ZE3180ATINTR
SP000399014
2156-BTS282Z E3180A-ITTR
BTS282ZE3180ATINTR-DG
BTS282ZE3180AINCT
SP000012360
BTS282ZE3180A
BTS282ZE3180AINTR-NDR
BTS282ZE3180AINDKR-NDR
BTS282ZE3180ANT
BTS282ZE3180ATINCT
IFEINFBTS282Z E3180A
BTS282ZE3180AATMA1
BTS282ZE3180AT
BTS282ZE3180ATINCT-DG
BTS282ZE3180AINCT-NDR
BTS282ZE3180AINTR
BTS282ZE3180AINDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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